GaN 器件辐伏同位素电池的电输出性能研究

• 作者: 刘业兵 李昊 杨玉青 王关全 罗顺忠 胡睿 钟正坤
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 辐伏同位素电池 GaN器件 电输出性能
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 2365-2369
• 页数: 5页
• 分类号: TM910.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.12.2365

摘要

利用63 Ni和3 H源分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基PiN结型器件，其输出短路电流（Isc ）和开路电压（Voc ）分别为：对于63 Ni源，Isc ＝5.4 nA ，Voc ＝771 mV ；对于3 H 源，Isc ＝10.8 nA ， Voc＝839 mV。其开路电压显著优于单晶硅基器件辐伏电池的输出结果，但与理论值有一定的差距。可能是GaN材料生长过程中产生的缺陷、电极欧姆接触不良以及器件结构等原因，导致短路电流和开路电压未能达到期望值。这些是提升GaN换能单元辐伏电池的电输出性能应解决的重要技术问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗顺忠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	163	805	12.0	20.0
2	钟正坤	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	26	99	6.0	8.0
3	王关全	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	46	136	6.0	9.0
4	杨玉青	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	42	95	5.0	7.0
5	胡睿	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	36	108	6.0	8.0
6	刘业兵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	9	10	1.0	3.0
7	李昊	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	6	1	1.0	1.0