高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

• 作者: 张东国 彭大青 李亮 李忠辉 罗伟科 董逊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN薄膜 MOCVD 同质外延
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 915-917
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1281字
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董逊	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	39	3.0	6.0
2	李亮	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0
3	李忠辉	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	25	3.0	4.0
4	罗伟科	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	2	13	1.0	2.0
5	彭大青	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0