固结磨料研磨SiC晶片亚表面损伤截面显微检测技术

• 作者: 张银霞 杨乐乐 苏建修 郜伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC晶片 截面显微法 亚表面损伤 固结磨料研磨
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 906-910
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2912字
• 语种: 中文

摘要

本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨SiC晶片(0001) Si面和(0001)C面亚表面损伤的深度及微裂纹构型.结果表明,采用腐蚀液配方为KOH:K2CO3 =20 g∶1 g,在420℃下腐蚀3min时亚表面损伤观测效果较好.在研磨压力为2 psi、金刚石磨粒粒径14 μm时,固结磨料研磨SiC晶片的亚表面损伤层深度约为2.6 μn,亚表面微裂纹构型有垂线状、斜线状、钩状、叉状、树枝状、人字状以及横线状.在相同的加工条件下,SiC晶片的(0001) Si面和(0001)C面的损伤深度基本相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏建修	河南科技学院机电学院	43	283	9.0	15.0
2	张银霞	郑州大学机械工程学院	37	170	8.0	11.0
3	郜伟	郑州大学机械工程学院	16	101	5.0	9.0
4	杨乐乐	郑州大学机械工程学院	7	41	4.0	6.0