不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究*

• 作者: 严辉 刘立英 宋雪梅 王如志 王波 陈程程
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 基底 GaN 纳米薄膜 场发射
• 年，卷（期）: 2013,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 455-461
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.177701

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析。结果表明：基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响。在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜，其场发射性能得到显著提升，其场发射电流可以数量级增大。场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应。本研究结果表明，要获得优异性能场发射薄膜，合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	80	638	11.0	23.0
3	刘立英	北京工业大学应用数理学院	19	50	5.0	5.0
4	宋雪梅	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	44	498	11.0	21.0
5	王如志	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	48	136	6.0	10.0
6	陈程程	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室	2	6	1.0	2.0