温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

• 作者: 于杰 杨宇 杨洲 王茺 胡伟达
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 温度 应变SiGe沟道 p-MOSFET 自热效应
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 875-879,885
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2758字
• 语种: 中文

摘要

本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小；亚阈值电流略有增大；亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系；阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	胡伟达	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	17	102	6.0	9.0
4	于杰	云南大学光电信息材料研究所	3	7	2.0	2.0
5	杨洲	云南大学光电信息材料研究所	5	16	2.0	4.0