分子束外延制备的垂直易磁化MnAl薄膜结构和磁性*

• 作者: 朱礼军 潘东 聂帅华 赵建华 鲁军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 分子束外延 大矫顽力材料 磁各向异性
• 年，卷（期）: 2013,（17）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 490-495
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.178103

摘要

系统地研究了利用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上外延生长的MnAlx 薄膜的结构和垂直易磁化特性随组分及生长温度的依赖关系.磁性测试表明,可在较大组分范围内(0.46 x 61.2)获得大矫顽力的垂直易磁化MnAlx薄膜,然而同步辐射X射线衍射和磁性测试发现当x 60.6时MnAl薄膜出现较多的软磁相,当x>0.9时, MnAl薄膜晶体质量和化学有序度逐渐降低,组分为MnAl0.9时制备的薄膜有最好的[001]取向.随着生长温度的增加, MnAl0.9薄膜的有序度、垂直磁各向异性常数、矫顽力和剩磁比均增加,350?C时制备的MnAl0.9薄膜化学有序度高达0.9,其磁化强度、剩磁比、矫顽力和垂直磁各向异性常数分别为265 emu/cm3、93.3%、8.3 kOe (1 Oe=79.5775 A/m)和7.74 Merg/cm3(1 erg=10?7 J).不含贵金属及稀土元素、良好的垂直易磁化性质、与半导体材料结构良好的兼容性以及磁性能随不同生长条件的可调控性使得MnAl薄膜有潜力应用于多种自旋电子学器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵建华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	68	886	17.0	27.0
2	朱礼军	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	102	782	16.0	23.0
3	鲁军	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	潘东	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	2	4	1.0	2.0
5	聂帅华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0