离子束溅射制备SiO2薄膜的折射率与应力调整

• 作者: 刘华松 姜玉刚 季一勤 王利栓
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: SiO2薄膜 正交实验 折射率 应力 离子束溅射
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 2238-2243
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20132109.2238

摘要

基于正交试验方法,系统研究了用离子束溅射法制备SiO2薄膜其折射率、应力与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性.使用分光光度计和椭圆偏振仪测量SiO2薄膜透过率光谱和反射椭偏特性,利用全光谱反演计算法获得薄膜的折射率,通过测量基底镀膜前后的表面变形量得到SiO2薄膜的应力.实验结果表明,工艺参数对薄膜折射率影响权重从大到小依次为氧气流量、基板温度、离子束流和离子束压,前三者对折射率影响的可信概率分别为87.03％、71.98％和69.53％;对SiO2薄膜应力影响权重从大到小依次为基板温度、离子束压、氧气流量和离子束流,前三者对应力影响的可信概率分别为95.62％、48.49％和37.88％.得到的结果表明,制备低折射率SiO2薄膜应选择高氧气流量、低基板温度和低离子束流;制备低应力SiO2薄膜应选择低基板温度和高氧气流量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘华松	天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室	15	65	3.0	7.0
2	王利栓	天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室	7	15	2.0	3.0
3	姜玉刚	天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室	7	12	1.0	3.0
4	季一勤	天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室	11	60	3.0	7.0