大容量PROM编程单元抗单粒子翻转特性研究

• 作者: 杜明 裴国旭 邓玉良 邹黎
• 来源期刊: 计算机测量与控制
• 关键词: 反熔丝PROM 单粒子翻转 TCAD
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 算法、设计与应用
• 页码范围: 2544-2546
• 页数: 3页
• 分类号: TP143
• 语种: 中文

摘要

反熔丝PROM存储器是高性能计算机系统核心存储器,具有非易失性、抗辐照能力强、高可靠性、体积小等特点；文章根据自主研制大容量反熔丝PROM存储器,对编程单元抗单粒子翻转进行机理分析,找出影响器件影响抗单粒子效应能力的主要因素;通过ISE TCAD软件对PROM编程单元进行仿真,得到不同的器件状态和电特性.研究结果表明,采用体硅外延工艺并且在电路和版图设计中考虑以上设计因素,设计的大容量PROM编程单元能有效的提高产品的抗单粒子翻转性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓玉良		12	23	3.0	4.0
2	裴国旭		8	7	2.0	2.0
3	杜明		6	7	2.0	2.0
4	邹黎		5	8	2.0	2.0