功率MOSFET的负偏置温度不稳定性效应中的平衡现象*

• 作者: 刘红侠 卓青青 张月 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏置温度不稳定性 反应扩散模型
• 年，卷（期）: 2013,（16）
• 页码范围: 167305-1-167305-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.167305

摘要

通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究，发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应扩散模型所描述的幂函数关系，并且在不同栅压应力下，实验结果中均可观察到平台阶段的出现。基于反应扩散理论的模型进行了仿真研究，通过仿真结果分析和验证了此平台阶段对应于反应平衡阶段，并且解释了栅压应力导致平台阶段持续时间不同的原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院	5	67	4.0	5.0
3	马晓华	西安电子科技大学技术物理学院	40	140	7.0	8.0
7	卓青青	西安电子科技大学微电子学院	9	33	4.0	5.0
9	张月	西安电子科技大学微电子学院	1	4	1.0	1.0