a-Si(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的AFORS-HET模拟优化

• 作者: 丁建宁 卢超 林爱国 程广贵 郭立强
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 AFORS-HET 背场 缓冲层
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 770-773
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2689字
• 语种: 中文

摘要

采用限定变量的方法,运用AFORS-HET(Automat FOR Simulation of HETerostructures)软件计算模拟了不同厚度、掺杂浓度和禁带宽度的非晶硅薄膜背场以及不同厚度、禁带宽度的非晶硅本征层对a-Si(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的影响.结果表明,在其它参数不变的情况下,增加较薄的背场和中间本征层,可以提高太阳电池的整体性能,其光电转换有很大程度提高,其最高转换效率可达20.75％；其中,中间本征层在厚度不超过20 nm时,对电池的短路电流影响不大,而其它性能则相对下降；当非晶硅薄膜背场的掺杂浓度为1019 cm-3以上,带隙为1.7 eV,厚度为5 nm时,电池性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁建宁	江苏大学微纳米研究中心	146	769	14.0	19.0
3	郭立强	江苏大学微纳米研究中心	12	24	3.0	4.0
4	程广贵	江苏大学微纳米研究中心	48	176	8.0	12.0
7	卢超	江苏大学微纳米研究中心	8	5	1.0	1.0
8	林爱国	江苏大学微纳米研究中心	1	1	1.0	1.0