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摘要:
采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VII型Ba8Ga16-xGexSn30(06 x 61.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小, Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT 值1.25.
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性
来源期刊 物理学报 学科
关键词 VIII型笼合物 n型传导 热电性能
年,卷(期) 2013,(24) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 247401-1-247401-6
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.62.247401
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研究主题发展历程
节点文献
VIII型笼合物
n型传导
热电性能
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
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174683
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