多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究

• 作者: 丁武昌 乔秀梅 刘新宇 孟彦龙 崔冬萌 贾锐 金智 陈晨
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 抗反射 特征导纳 硅量子点 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 字数: 2482字
• 语种: 中文

摘要

根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果.利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38％；分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si:N=1:1时即可达到较好的表面抗反射效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾锐	中国科学院微电子研究所	29	160	6.0	11.0
2	陈晨	中国科学院微电子研究所	68	446	12.0	18.0
3	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
4	崔冬萌	中国科学院微电子研究所	5	10	2.0	3.0
5	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
6	孟彦龙	中国科学院微电子研究所	7	24	3.0	4.0
7	丁武昌	中国科学院微电子研究所	6	13	2.0	3.0
8	乔秀梅	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0