PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

• 作者: 向昱任 周浪 崔冶青 张东华 汪已琳 高江 黄海宾 龚洪勇
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 氢化非晶硅 PECVD 钝化 太阳能级n型硅片
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 技术产品与工程
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 字数: 1112字
• 语种: 中文

摘要

研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果.分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S＜9.4cm/s的优良钝化效果；若硅片τbulk为2ms,则S＜5.6cm/s.