碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究

• 作者: 何畅 张伟 徐朝鹏 王海燕 陈飞鸿
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 碘化铟 形成能 缺陷能级 深空穴陷阱
• 年，卷（期）: 2013,（24）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 243101-1-243101-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.243101

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，对正交碘化铟(InI)晶体可能存在的6种本征点缺陷(碘空位、铟空位、碘占铟位、铟占碘位、碘间隙、铟间隙)结构进行优化。通过缺陷形成能的计算，得出各缺陷在生长过程中形成的难易程度；通过态密度的计算，分析出各种缺陷能级位置及其对载流子传输的影响。结果表明：最主要的低能缺陷铟间隙会引入复合中心和深空穴陷阱，前者降低少数载流子的寿命，后者俘获价带的空穴而降低空穴的迁移率-寿命积。计算结果为实验中提高InI晶体载流子的迁移率-寿命积提供理论指导，对获得性能优异的InI核辐射探测材料有重要帮助。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	89	833	13.0	26.0
2	徐朝鹏	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	17	56	5.0	7.0
3	王海燕	燕山大学环境与化学工程学院河北省应用化学重点实验室	20	150	7.0	11.0
4	陈飞鸿	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	2	7	2.0	2.0