Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

• 作者: 张彦 徐家跃 杨波波 江国健 申慧 陆宝亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi4Si3O12 Bi4Ge3O12 析晶行为 坩埚下降法 晶体生长
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2566字
• 语种: 中文

摘要

本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12 (BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为.实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相；XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长.采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张彦	上海应用技术学院材料科学与工程学院	14	24	3.0	3.0
2	徐家跃	上海应用技术学院材料科学与工程学院	87	198	6.0	9.0
3	申慧	上海应用技术学院材料科学与工程学院	24	34	3.0	4.0
4	江国健	上海应用技术学院材料科学与工程学院	25	76	5.0	7.0
5	杨波波	上海应用技术学院材料科学与工程学院	12	28	4.0	4.0
6	陆宝亮	上海应用技术学院材料科学与工程学院	4	5	1.0	2.0