共溅射NixZn1-xO薄膜的结构、磁性和电性能

• 作者: 王锋 黄鹏飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频共溅射 NiZnO 铁磁性 电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 186-191
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 4424字
• 语种: 中文

摘要

采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO(x =0.78、0.72、0.68)薄膜.薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在.样品都具有明显的室温铁磁性,退火后(TA=803 K) Ni0.78Zn0.22O薄膜的饱和磁化强度Ms可达65 emu/cm3,对应单个Ni离子磁矩大于0.13 μB.低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象,这是由于样品发生了金属-绝缘体转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王锋	泉州师范学院物理与信息工程学院	17	21	3.0	3.0
2	黄鹏飞	泉州师范学院物理与信息工程学院	1	1	1.0	1.0