磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展

• 作者: 张发云 彭华厦 李云明 王发辉 罗玉峰 胡云
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 磁场 杂质 分凝行为 数值模拟
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2625字
• 语种: 中文

摘要

论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状.另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景.