MgO（111）衬底MgB2超薄膜的制备和性质研究*

• 作者: 何法 冯庆荣 张辰 潘杰云
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: MgO(111)衬底 MgB2超薄膜 混合物理化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 127401-1-127401-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.127401

摘要

@@@@利用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在MgO(111)衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体压强、载气氢气流量以及沉积时间一定的情况下,改变B2H6的流量,制备得到不同厚度的系列MgB2超导薄膜样品,并测量了其超导转变温度Tc,临界电流密度Jc 等临界参量.该系列超导薄膜沿c轴外延生长,表面具有良好的连接性,且有很高的超导转变温度Tc(0)≈35—38 K和很小的剩余电阻率ρ(42 K)≈1.8—20.3μ?·cm.随着膜厚的减小,临界温度变低,而剩余电阻率变大.其中20 nm的样品在零磁场,5 K时的临界电流密度Jc≈2.3×107 A/cm2.表明了利用HPCVD在MgO(111)衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能,预示了其在超导电子器件中广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何法	北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0