电沉积Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化研究

• 作者: 何青 周志强 姚立勇 孙云 孙国忠 张超 敖建平 毕金莲
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 电化学沉积 Cu-In-Ga金属预制层 硒硫化处理 Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（23）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 238801-1-238801-10
• 页数: 1页
• 字数: 4537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.238801

摘要

以H2 S气体作为硫源、固态蒸发硒蒸气作为硒源对电沉积Cu-In-Ga金属预制层进行硒硫化处理.通过电沉积Cu-In-Ga金属预制层在不同衬底温度下硒化、硫化和硒硫化的对比实验,发现CuInS2相和CuIn(S,Se)2相优先生成,抑制了CuInSe2相的生成,促使InSe相薄膜向内部扩散,减弱了薄膜两相分离现象.采用先硒化后硒硫化处理工艺优化了Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜的制备工艺,在250?C预硒化得到了开路电压为570 mV的太阳电池,在更高的预硒化温度得到了较大短路电流的太阳电池,最终优化得到了效率达到10.4%的电池器件.