多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究

• 作者: 刘玉岭 曹阳 王辰伟 蔡婷 马锁辉 高娇娇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 络合剂 TSV 化学机械平坦化 抛光速率
• 年，卷（期）: 2013,（24）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 3603-3605,3610
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1604字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2013.24.018

摘要

对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O )在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O 络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP 条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O 络合剂时,铜的去除速率仅为45.0 nm/min,少量FA/O 的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O 含量为50 mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O 对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	蔡婷	河北工业大学微电子研究所	7	35	4.0	5.0
4	马锁辉	河北工业大学微电子研究所	3	15	2.0	3.0
5	曹阳	河北工业大学微电子研究所	7	29	4.0	5.0
6	高娇娇	河北工业大学微电子研究所	14	51	5.0	6.0