1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计

• 作者: 吴渊渊 杨辉 王乃明 王海啸 甘兴源 郑新和
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaInAs/GaNAs超晶格 Kronig-Penney模型 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 499-503
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.218801

摘要

使用In, N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一。为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态。结果表明：GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求；在固定1 eV的吸收带边时, GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿,将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区。