原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
提出了一种脉冲成形和脉冲展宽的方法,在基于理想开关的纳秒脉冲成形电路基础上,使用MOS管代替理想开关,保证MOS管工作在饱和区实现了脉冲成形,分析了MOS开关进入饱和区后在不改变传输线延迟时间的情况下,改变电源电压可以实现脉冲展宽,并通过实验验证了仿真获得的结果。
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文献信息
篇名 基于传输线的纳秒脉冲成形电路研究
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 传输线 特征阻抗 拉普拉斯变换 时域 复频域
年,卷(期) 2013,(13) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 154-156,159
页数 4页 分类号 TN81-34
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵军 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室 22 414 8.0 20.0
2 张流强 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室 34 188 7.0 11.0
3 肖海军 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室 3 14 2.0 3.0
4 李先仓 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室 2 9 1.0 2.0
5 蒋树庆 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
传输线
特征阻抗
拉普拉斯变换
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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0
总被引数(次)
135074
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