基于反应动力学的GaN LED参数退化模型的研究

• 作者: 万宁 冯士维 张燕峰 朱慧 李睿 郭春生
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 参数退化模型 反应动力学 加速实验 GaN LED
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 460-465
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.218503

摘要

加速实验中，参数退化模型描述了参数的退化规律，参数退化规律对应于器件退化机理，而退化机理又对应于内部的物理化学反应。因此，本文基于反应动力学中物理化学反应的温度效应速率模型及反应量浓度随时间的变化规律，研究并建立了GaN LED参数退化模型。本模型尝试从物理机理上解释参数退化过程中的退化规律，包括单调上升或单调下降退化规律、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化规律，解决了实验后拟合方法不能建立非单调退化模型的问题。然后对GaN LED进行加速实验，确定模型参数。同时对GaN LED的退化规律进行分解，并且量化了GaN LED两种退化规律的退化比例及时间常数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭春生	北京工业大学电子信息与控制工程学院	44	302	10.0	15.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
3	朱慧	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	22	3.0	4.0
4	张燕峰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	27	3.0	3.0
5	万宁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	32	3.0	4.0
6	李睿	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	18	3.0	4.0