Ti薄膜在Si基底上的生长模拟

• 作者: 吴清英 孙灵光 朱建国 罗顺忠 陈小龙
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ti薄膜 蒙特卡洛 模拟 表面形貌
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 727-730,735
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.2+3
• 字数: 3584字
• 语种: 中文

摘要

利用三维动态蒙特卡洛模型模拟了Si基底上沉积Ti薄膜的初始期间的生长特性.模拟结果发现,在扩散截止步长为50的情况下,沉积温度和沉积速率对Ti薄膜初始生长模式和表面形貌有明显的影响.模拟结果表明,随着沉积温度的增加,Ti薄膜的初始晶核尺寸越来越大,数目越来越少,趋于岛状生长模式,同时Ti薄膜的相对密度越来越大,薄膜表面粗糙度也越来越小,即:较高的温度有利于Ti薄膜的岛状生长.随着沉积速率的增大,Ti薄膜表面越来越粗糙,相对密度也越来越小；较大的沉积速率不利于Ti薄膜的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱建国	四川大学材料科学与工程学院	124	1424	17.0	35.0
2	罗顺忠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	163	805	12.0	20.0
3	陈小龙	四川大学材料科学与工程学院	12	21	3.0	4.0
4	吴清英	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	4	4	1.0	2.0
5	孙灵光	四川大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0