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相控阵声束焦距深度与晶片数目的优化研究
相控阵声束焦距深度与晶片数目的优化研究
作者:
于达
孙亚娟
郑渝
齐向前
原文服务方:
现代电子技术
相控阵技术
聚焦深度
激发孔径
线型阵列换能器
声束
摘要:
相控阵技术的突出优点包括实现灵活聚焦和激发孔径的自由选择。相控阵技术在实际检测过程中聚焦深度一般会固定但是其聚焦深度与激发孔径的大小(即激发晶片数目的多少)之间具有复杂的相互关联和制约关系。因此基于相控阵声束形成及聚焦的原理,采用32阵元线型阵列换能器,通过实验方式研究了聚焦深度为10~50 mm时激发孔径的最佳范围。研究结果希望会对今后的相控阵检测起到重要的参考价值。
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文献信息
篇名
相控阵声束焦距深度与晶片数目的优化研究
来源期刊
现代电子技术
学科
关键词
相控阵技术
聚焦深度
激发孔径
线型阵列换能器
声束
年,卷(期)
2013,(24)
所属期刊栏目
计算机应用技术
研究方向
页码范围
20-21
页数
2页
分类号
TN911-34
字数
语种
中文
DOI
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姓名
单位
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齐向前
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于达
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孙亚娟
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节点文献
相控阵技术
聚焦深度
激发孔径
线型阵列换能器
声束
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
主办单位:
陕西电子杂志社
出版周期:
半月刊
ISSN:
1004-373X
CN:
61-1224/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1977-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
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