篇名 | A novel 4H-SiC lateral bipolar junction transistor structure with high voltage and high current gain | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | 4H-SiC lateral bipolar junction transistor (BJT) high current gain high breakdown voltage | ||
年,卷(期) | 2013,(9) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 559-563 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/9/097201 |