Zn元素替代对MgGa2O4∶Cr3+的结构和发光性能的影响

• 作者: 张万鑫 李海玲 王显盛 王银海 赵慧
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 长余辉 MgGa2O ZnGa2O4 Cr3+ 陷阱能级
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: O482.3
• 字数: 3543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2013)01-0031-05

摘要

采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+ (x=0,0.2,0.6,0.8,1.0)配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料.X射线衍射(XRD)分析表明样品物相均为面心立方结构.光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E-4A2跃迁所致,Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠,两者间存在有效的能量传递.余辉衰减曲线与热释光谱分析表明,不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同,是由于其中存在的陷阱能级深度不同,且陷阱能级越深,其余辉时间越长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王银海	广东工业大学物理与光电工程学院	36	188	8.0	11.0
2	赵慧	广东工业大学物理与光电工程学院	15	36	5.0	5.0
3	张万鑫	广东工业大学物理与光电工程学院	2	10	2.0	2.0
4	李海玲	广东工业大学物理与光电工程学院	3	11	2.0	3.0
5	王显盛	广东工业大学物理与光电工程学院	3	11	2.0	3.0