Cu2O薄膜的制备与表征

• 作者: 刘邦武 夏洋 宁婕妤 李云白 李超波
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: Cu2O 薄膜 阴极电沉积 表征
• 年，卷（期）: 2013,（14）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 2056-2058,2064
• 页数: 4页
• 分类号: O64
• 字数: 2324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.018

摘要

以透明导电玻璃ITO和铜片为工作电极,用0.1mol/L乙酸铜和0.02mol/L乙酸钠的混合溶液作为电解液,通过两电极电化学沉积方法制备了Cu2O薄膜.讨论了pH值和沉积电位对Cu2O薄膜的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行表征.结果表明,两电极电化学沉积法制备Cu2O薄膜最佳的pH值为5.7～5.9,沉积电位为1.1～1.3V.此外,分析了沉积电位对Cu2O薄膜形貌的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
2	李超波		31	120	7.0	9.0
5	李云白	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	7	21	3.0	4.0
6	刘邦武	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	17	96	6.0	8.0
7	宁婕妤	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0