单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移*

• 作者: 徐嶺茂 杨德仁 董鹏 赵建江 马向阳 高超
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 快速热处理 位错滑移 机械性能 单晶硅
• 年，卷（期）: 2013,（16）
• 页码范围: 168101-1-168101-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.168101

摘要

研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为。研究表明：在快速热处理时，位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移；当快速热处理温度高于1100?C时，在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离。我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的氮原子钉扎了位错，增加了位错的临界滑移应力，从而在相当程度上抑制了位错的滑移。可以推断氮气氛下的高温快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度。