累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究

• 作者: 丁李利 肖尧 范如玉 郭红霞 闫逸华 陈伟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 累积辐照 单粒子翻转 静态随机存储器 器件仿真
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 页码范围: 478-485
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.188502

摘要

基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory, SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势.同时借助仿真模拟计算了0.18μm工艺对应的六管SRAM单元在对应不同累积剂量情况下,离子分别入射不同中心单管时的电学响应变化,计算结果与解析分析所得推论相一致,即只有当累积辐照阶段与单粒子作用阶段存储相反数值时, SRAM单元的单粒子翻转敏感性才会增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	范如玉		34	168	7.0	10.0
7	丁李利		12	26	3.0	4.0
8	闫逸华		3	6	2.0	2.0
12	肖尧		1	3	1.0	1.0