半导体含硅废水形成动态膜的影响因素研究

• 作者: 张扬 徐林虓 杨凤林 柳丽芬 闫晗 高岗大造
• 来源期刊: 中国给水排水
• 学科: 地球科学
• 关键词: 半导体含硅废水 平板膜 微滤 动态膜
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 技术总结
• 页码范围: 90-93
• 页数: 4页
• 分类号: X703
• 字数: 3045字
• 语种: 中文

摘要

采用半导体含硅废水为成膜液,以平板微滤膜为基膜形成动态膜,考察了含硅废水浓度、曝气量、过滤速度和基膜对动态膜形成的影响.结果表明:高浓度含硅废水形成动态膜所需时间短,仅需50 min.曝气量大则不易形成动态膜,膜孔堵塞严重；曝气量小易形成动态膜,但动态膜不牢固,易脱落；曝气量适当时所形成的动态膜较薄,过滤阻力小,跨膜压力上升缓慢,最佳曝气量为10 L/min.过滤速度较高时易造成硅颗粒堵塞基膜膜孔,跨膜压力上升较快,最高滤速取0.6m/d.此外,在进水硅颗粒粒径分布一定的条件下,采用Japan-0.1和LK-10基膜可形成过滤性能好的动态膜,且动态膜有利于防止基膜膜孔阻塞,对基膜具有很好的保护作用,但PEIER基膜形成动态膜的过滤性能很差,不宜用作回收硅颗粒的动态膜的基膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨凤林	大连理工大学环境与生命学院工业生态与环境工程教育部重点实验室	242	4703	36.0	52.0
2	柳丽芬	大连理工大学环境与生命学院工业生态与环境工程教育部重点实验室	34	533	14.0	22.0
3	闫晗	大连理工大学环境与生命学院工业生态与环境工程教育部重点实验室	3	2	1.0	1.0