纳米级ta-C薄膜对二次电子发射抑制的研究

• 作者: 康永锋 张娜 陈仙
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: ta-C薄膜 二次电子倍增放电 抑制二次电子发射 过滤阴极真空电弧
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 144-146
• 页数: 3页
• 分类号: TN12-34
• 语种: 中文

摘要

二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素.提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子发射系数的影响.研究结果表明,涂层后的二次电子发射系数减小了35％；且当薄膜厚度超过5 nm,二次电子发射系数显著降低,当厚度大于10 nm,二次电子发射系数会增加,分析主要原因是薄膜厚度在5～10 nm时,sp2键的含量较大,呈现出石墨的弱二次电子发射特性,研究结果表明,ta-C薄膜可以较好地起到抑制二次电子作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康永锋		7	16	3.0	4.0
3	陈仙		8	34	3.0	5.0
4	张娜		2	6	1.0	2.0