一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法*

• 作者: 丁芃 周均铭 戴隆贵 禤铭东 贾海强 陈弘
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 激光干涉光刻 纳米阵列 刻蚀 氟碳有机聚合物
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 156104-1-156104-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.156104

摘要

本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤,在2英寸的硅(001)衬底上制备了高度有序的二维纳米孔阵结构.利用干法刻蚀产生的氟碳有机聚合物作为湿法刻蚀的掩膜,以及在干法刻蚀时对样品进行轻微的过刻蚀,使 SiO2点阵图形下形成一层很薄的硅台面,是本方法的两个关键工艺步骤.扫描电子显微镜图片结果表明制备的孔阵图形大小均匀,尺寸可控,孔阵周期为450 nm,方孔大小为200-280 nm.