Ga 高掺杂对 ZnO 的最小光学带隙和吸收带边影响的第一性原理研究*

• 作者: 侯清玉 董红英 赵春旺 马文
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ga 高掺杂 ZnO 电子结构 吸收光谱 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 157101-1-157101-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.157101

摘要

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了纯的和四种不同 Ga 掺杂量的 ZnO 超胞模型，分别对模型进行了几何结构优化、能带结构分布、态密度分布和吸收光谱的计算.结果表明，在本文限定的Ga 掺杂量2.08 at%-6.25 at%的范围内，随着 Ga 掺杂量的增加，掺杂后的 ZnO 体系体积变化不是很大，但是，掺杂体系 ZnO 的能量增加，掺杂体系变得越来越不稳定，同时，掺杂体系 ZnO 的 Burstein-Moss 效应越显著，最小光学带隙变得越宽，吸收带边越向高能方向移动.计算结果和实验结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院	43	191	7.0	9.0
2	赵春旺	内蒙古工业大学理学院	58	247	9.0	12.0
3	董红英	内蒙古工业大学化工学院	16	158	5.0	12.0
4	马文	内蒙古工业大学材料学院	28	164	5.0	12.0