篇名 | A single-event transient induced by a pulsed laser in a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | single event transient (SET) pulsed laser charge collection SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) | ||
年,卷(期) | 2013,(5) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 49-54 | |
页数 | 6页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/5/056103 |