同位素效应对铁中辐照损伤的影响

• 作者: 万发荣 大貫惣明 姜少宁 王帅 贺建超 龙毅
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氘离子注入 辐照损伤 位错环 偏压
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 262-265
• 页数: 4页
• 分类号: TL67
• 字数: 1971字
• 语种: 中文

摘要

有关氦与辐照缺陷的相互作用已有不少系统性的工作,但对氢与辐照缺陷的相互作用的研究不多.特别是氢的同位素氘或者氚存在于核聚变反应堆中,关于氢的同位素效应对辐照损伤的研究工作很少.采用离子加速器在室温下对纯铁注入氘离子,经500℃时效1h后,研究了电子辐照下位错环的演变过程并讨论了同位素效应对位错环偏压的影响.实验表明,随辐照剂量的增加,空位型位错环的尺寸逐渐减小直至消失.由于注氘纯铁中的位错偏压小,其空位型位错环缩小的速率比注氢纯铁中空位型位错环小,由此可以推断注氘纯铁比注氢纯铁抗辐照损伤性能好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万发荣	北京科技大学材料科学与工程学院	65	602	12.0	23.0
2	龙毅	北京科技大学材料科学与工程学院	67	442	11.0	17.0
3	贺建超	北京科技大学材料科学与工程学院	4	5	1.0	1.0
4	姜少宁	北京科技大学材料科学与工程学院	4	9	2.0	2.0