掺杂浓度及掺杂层厚度对 Si 均匀掺杂的 GaAs 量子阱中电子态结构的影响

• 作者: 杨双波
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 掺杂 量子阱 电子结构 半导体 GaAs
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 157301-1-157301-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.157301

摘要

本文通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度 T =0,有效质量近似下, Si 均匀掺杂的 GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构。研究了掺杂浓度及掺杂层厚度对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响。发现在给定掺杂浓度下,子带能量随掺杂层厚度的增加单调递减,自洽势的势阱变宽变浅,电子密度分布变宽,峰值变低；在给定掺杂层厚度下,随掺杂浓度的增加子带能量及费米能级单调递增,自洽势阱变深变陡变窄,电子密度分布的峰值变高,集中在中心。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨双波	南京师范大学物理科学与技术学院	21	31	3.0	4.0