AlGaAs/InGaAs PHEMT 栅电流参数退化模型研究*

• 作者: 万宁 冯士维 张燕峰 李睿 熊聪 石磊 郭春生 马卫东
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: PHEMT 栅电流 肖特基接触 退化模型
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 157203-1-157203-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.157203

摘要

为定量研究在 PHEMT 栅电流退化过程中，不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例，本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系，建立了 PHEMT 栅电流参数退化模型。利用在线实验的方法获得 PHEMT 电学参数的退化规律，分析参数随时间的退化规律，得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理，并基于栅电流参数退化模型，得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭春生	北京工业大学电子信息与控制工程学院	44	302	10.0	15.0
2	马卫东	北京工业大学电子信息与控制工程学院	15	132	6.0	11.0
3	熊聪	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	28	3.0	4.0
4	张燕峰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	27	3.0	3.0
5	万宁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	32	3.0	4.0
6	李睿	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	18	3.0	4.0
7	石磊	北京工业大学电子信息与控制工程学院	18	99	4.0	9.0