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摘要:
本文首先利用光敏电阻阻值的可控性,建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型。通过对忆感器和忆阻器间转换关系的分析,采用模拟电子元器件设计了磁通控制型忆感器的实用等效电路模型,给出了理论分析并结合 Pspice软件进行了仿真验证。忆感器等效电路模型的韦安关系展现出典型的非线性磁滞回线特性。最后,运用实验手段研究了正弦波和三角波两种典型电压信号激励下忆感器与 RC 串联后电路的动态特征,证明了本文提出忆感器等效电路模型的有效性。
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文献信息
篇名 基于模拟电路的新型忆感器等效模型*
来源期刊 物理学报 学科
关键词 忆阻器 忆感器 磁滞回线特性 Pspice
年,卷(期) 2013,(15) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 158501-1-158501-10
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.62.158501
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈昊 中国矿业大学信息与电气工程学院 52 839 15.0 28.0
2 于东升 中国矿业大学信息与电气工程学院 17 97 5.0 9.0
3 梁燕 中国矿业大学信息与电气工程学院 1 20 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
忆阻器
忆感器
磁滞回线特性
Pspice
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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