含空位二维六角氮化硼电子和磁性质的密度泛函研究

• 作者: 廖建 李顺辉 毛宇亮 袁健美 魏哲
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二维h-BN 空位 电子结构 磁性
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 152-158
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.203101

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了含B原子空位(VB), N原子空位(VN),以及含B?N键空位(VB+N )缺陷的二维氮化硼(h-BN)的电子和磁性质.在微观结构上, VB体系表现为在空位附近的N原子重构成等腰三角形, VN体系靠近空穴的B原子形成等边三角形, VB+N体系靠近空穴处的B和N原子在h-BN平面上重构为梯形.三种空位缺陷都使h-BN的带隙类型从直接带隙转变为间接带隙. VB体系的总磁矩为1.0μB,磁矩全部由N原子贡献.其中空穴周围的三个N原子磁矩方向不完全一致,存在着铁磁性和反铁磁性两种耦合方式.对于VN体系,整个晶胞内的总磁矩也为1.0μB,磁矩在空穴周围区域呈现一定的分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁健美	湘潭大学数学与计算科学学院科学工程计算与数值仿真湖南省重点实验室	14	65	3.0	8.0
2	魏哲	湘潭大学材料与光电物理学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	1	5	1.0	1.0
3	李顺辉	湘潭大学材料与光电物理学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	2	7	2.0	2.0
4	廖建	湘潭大学材料与光电物理学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	2	5	1.0	2.0
5	毛宇亮	湘潭大学材料与光电物理学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	8	12	2.0	3.0