篇名 | Interfacial characteristics of Al/Al2O3/ZnO/n-GaAs MOS capacitor | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | gate dielectric Terman method interface trap density | ||
年,卷(期) | 2013,(7) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 406-409 | |
页数 | 4页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/7/076701 |