Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

• 作者: 宋志棠 汪辉 王海龙 陈茜 龚谦
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 费米黄金规则 Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱 LO声子 散射率
• 年，卷（期）: 2013,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 226301-1-226301-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.226301

摘要

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1?xInxNyAs1?y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律。计算结果表明：在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加；在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小；随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加；随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200?A附近。计算结果对Ga1?xInxNyAs1?y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	51	197	8.0	12.0
2	汪辉	中国科学院上海高等研究院	23	76	5.0	7.0
3	龚谦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	22	55	5.0	6.0