沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

• 作者: 何锦强 廖永力 李盛涛 王辉 蔺家骏
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 缺陷结构 沉淀剂 介电性能
• 年，卷（期）: 2013,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 226103-1-226103-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.226103

摘要

研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响。结果表明：不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响。其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起；而电气性能的改变除了与微观结构相关外，主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响；此外，沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷，增加晶粒中的自由电子浓度，因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制，而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感。由此，采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时，沉淀剂种类的选择很重要，即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变，应尽可能避免杂质离子的引入。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王辉	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	93	983	16.0	27.0
2	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
3	廖永力		17	150	7.0	11.0
4	蔺家骏	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	3	3	1.0	1.0
5	何锦强	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	4	13	2.0	3.0