空间用 GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7 As（1 eV）倒装三结太阳电池研制*

• 作者: 单智发 吴洪清 张永 李俊承 林志伟 王向武 蔡建九 陈凯轩
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 太阳电池 三结 倒装结构
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 158802-1-158802-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.158802

摘要

采用阶变缓冲层技术(step-graded)外延生长了具有更优带隙组合的倒装 GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1.0 eV)三结太阳电池材料, TEM 和 HRXRD 测试表明晶格失配度为2%的 In0.3Ga0.7As 底电池具有较低的穿透位错密度和较高的晶体质量,达到太阳电池的制备要求.通过键合、剥离等工艺制备了太阳电池芯片.面积为10.922 cm2的太阳电池芯片在空间光谱条件下转换效率达到32.64%(AM0,25?C),比传统晶格匹配的 GaInP/GaAs/Ge(0.67 eV)三结太阳电池的转换效率提高3个百分点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林志伟		3	18	2.0	3.0
2	陈凯轩		5	19	2.0	4.0
3	蔡建九		3	20	2.0	3.0
4	张永		3	20	2.0	3.0
5	王向武		3	20	2.0	3.0
6	单智发		2	18	2.0	2.0
7	吴洪清		1	9	1.0	1.0
8	李俊承		1	9	1.0	1.0