分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用*

• 作者: 柯川 苟富均 赵勇 赵成利
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 分子动力学 吸附率 表面粗糙度 氢化非晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（16）
• 页码范围: 165203-1-165203-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.165203

摘要

通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响。通过模拟数据与实验数据的比较,得到H原子吸附率随入射量的增加呈先增加后趋于平衡的趋势。沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜,刻蚀产物(H2, SiH2, SiH3和SiH4)对H原子吸附率趋于平衡有重要影响,并且也决定了样品的表面粗糙度。当入射能量为1 eV时,样品表面粗糙度最小。随着入射能量的增加,氢化非晶硅薄膜中各成分(SiH, SiH2, SiH3)的量以及分布均有所变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵勇	西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	92	334	11.0	17.0
2	柯川	西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	4	27	2.0	4.0
3	赵成利	贵州大学理学院等离子体与器壁相互作用研究所	8	11	2.0	2.0
4	苟富均	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	12	12	2.0	3.0