InSe的高压电输运性质研究*

• 作者: 吴宝嘉 彭刚 李燕 高春晓
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InSe 高压 电阻率 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2013,（14）
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.140702

摘要

高压下对InSe样品进行原位电阻率和霍尔效应测量.电阻率测量结果显示，样品在5—6 GPa区间呈现金属特性，在12 GPa的压力下发生由斜六方体层状结构到立方岩盐矿的结构相变，且具有金属特性.霍尔效应测量结果显示，样品在6.6 GPa由p型半导体转变成n型半导体，电阻率随着压力的升高而逐渐下降是由于载流子浓度升高引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高春晓	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	25	4.0	4.0
2	彭刚	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	30	3.0	5.0