InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析

• 作者: 丁召 周勋 张毕禅 王继红 罗子江 郭祥
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs薄膜 分子束外延 反射高能电子衍射 扫描隧道显微镜 表面重构
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: TN3|O47
• 字数: 2278字
• 语种: 中文

摘要

利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜.利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面为原子级平整,并指出样品表面处于β2(2×4)与α2(2×4)两种重构混合的重构相.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州大学理学院	46	63	4.0	6.0
5	王继红	贵州大学理学院	24	46	3.0	5.0
6	周勋	贵州大学理学院	18	49	4.0	6.0
8	张毕禅	贵州大学理学院	3	3	1.0	1.0
9	郭祥	贵州大学理学院	25	32	3.0	4.0
10	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0