GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

• 作者: 严亮星 刘炳灿 孙慧 李华 田强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 分数维方法 极化子 GaAs薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 434-437
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.197302

摘要

本文用分数维方法研究Alx Ga1?x As衬底上GaAs薄膜中的极化子特性，提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法，解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难，得到了Alx Ga1?x As衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理系	81	389	11.0	16.0
2	李华	装甲兵工程学院基础部	48	218	9.0	12.0
3	刘炳灿	装甲兵工程学院基础部	14	25	4.0	4.0
4	孙慧	北京师范大学物理系	9	16	2.0	4.0
5	严亮星	北京师范大学物理系	3	1	1.0	1.0