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The degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor under step-stress
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | The degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor under step-stress | ||
| 来源期刊 | 中国物理B（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | AlGaN/GaN HEMT reliability degradation mechanism inverse piezoelectric effect | ||
| 年，卷（期） | 2013,（10） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 508-511 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | 10.1088/1674-1056/22/10/107303 | ||
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaN/GaN HEMT
reliability
degradation mechanism
inverse piezoelectric effect
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
主办单位：
中国物理学会和中国科学院物理研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-1056
CN：
11-5639/O4
开本：
出版地：
北京市中关村中国科学院物理研究所内
邮发代号：
创刊时间：
语种：
eng
出版文献量（篇）
17050
总下载数（次）
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