室温制备低电阻率高透过率H,W共掺杂ZnO薄膜

• 作者: 刘阳 张晓丹 王延峰 赵颖 魏长春 黄茜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: HWZO薄膜 磁控溅射 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 448-454
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.017803

摘要

采用脉冲直流磁控溅射法,以WO3:ZnO陶瓷靶为溅射靶材,通过在溅射气氛中引入H2的方式,在室温条件下制备了低电阻率、高可见和近红外光区透过率的H,W共掺杂ZnO (HWZO)薄膜.系统地研究了H2流量对所制备的HWZO薄膜的结构、组分、元素价态、光电特性的影响.结果表明:掺入的H可促进Zn的氧化,改善薄膜的结晶质量,提高薄膜透过率.H引入之后薄膜的载流子浓度增加,电阻率降低.在H2流量为6mL/min时制备的HWZO薄膜性能最优,电阻率为7.71×10-4 Ω·m,光学带隙为3.58 eV,400-1100 nm的平均透过率为82.4％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘阳	天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	2	6	2.0	2.0
2	王延峰	天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	3	1.0	1.0
3	张晓丹	天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	3	1.0	1.0
4	黄茜	天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	3	1.0	1.0
5	魏长春	天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	3	1.0	1.0
6	赵颖	天津市南开区南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	3	1.0	1.0